技術情報誌The TRC News「酸化ガリウムの結晶構造解析及びイオン注入プロセス評価」

【要旨】
酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。
【目次】（全４ページ）
１．はじめに
２．断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析
３　イオン注入プロセス評価
４．まとめ
【図表】
図１～図13　
断面像、界面層の高分解能TEM像、電子回折パターン、原子分解能平面HAADF-STEM像・STEM像、結晶欠陥の原子分解能平面HAADF-STEM像
イオン注入後、アニール処理後分析結果、注入量、アニール処理温度の異なる試料のCL強度比較、キャリア濃度とdC/dV信号強度の関係