技術情報誌The TRC News「in-situ STEMを用いたMTJ膜の加熱分析」

【要旨】
高感度ならびに低消費電力デバイスの需要が高まり、スピントロニクス分野では磁気メモリや磁気センサーなどが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ（magnetic tunnel junction）構造が広く用いられている。このMTJ構造は数nm程度の薄い積層膜から成り、原子レベルでの膜厚やラフネスおよび結晶性が特性を左右する。また、アニール温度によって磁気特性が変化することから、本稿ではin-situ TEMを用いて、加熱に伴う結晶性や元素分布の変化過程をnmレベルで分析した事例を紹介する。
【目次】（全４ページ）
１．はじめに
２．試料と評価方法
３-１．結晶性の変化
３-２．結晶配向の解析
３-３．面内結晶配向の解析
４．まとめ
【図表】
図１～図７
アニール温度とTMR比の関係
in-situ加熱測定により得られたBF-STEM像とFFTパターンおよびEELSラインプロファイル
in-situACOM-TEM測定結果
平面方向のACOM-TEM測定結果