技術情報誌The TRC News「最先端SIMS分析装置「NanoSIMS 50L」を用いた微小領域の高感度イメージング分析」

【要旨】
最先端の二次イオン質量分析（SIMS）装置であるNanoSIMS 50Lは、プローブ径約50 nmのイオンビームと、透過率の高い質量分析系の併用により、従来のSIMSに比べて約2桁高い空間分解能でイメージング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。
【目次】（全４ページ）
１．はじめに
２．分析装置の概要
３．毛髪断面の分析事例
４．SiC半導体デバイスの分析事例
５．まとめ
【図表】
図１　NanoSIMS 50Lの装置外観写真
表１　NanoSIMS 50Lの特徴
図２　毛髪の断面構造
図３　NanoSIMS 50Lによる毛髪断面のイオウ（S）のイメージング
図４　SiC中のアルミニウム（Al）、シリコン（Si）、リン（P）の三次元イメージング
図５　SiCデバイスのリン（P）、酸素（O）の二次元イメージングと抽出領域、二次元イメージングから抽出したPのデプスプロファイル