ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch

半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】
シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。
CVD, スパッタ等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能
◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応
◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能
◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択：
NiCr,
Inconel,
タングステン,
グラファイト,
CCコンポジット, 
グラファイト（SiCコーティング, PBNコーティング）
CCコンポジット（PGコーティング）
◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF
◉ 熱電対付属
◉ その他オプション：モーターコントローラ, 温度制御ユニット, トランスボックス