一般財団法人材料科学技術振興財団 MST TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察
- 最終更新日：2023-03-22 14:28:55.0
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密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密度差・平均質量差・組成差が小さい有機EL膜・Low-k膜・ゲート酸化膜・TEOS膜・BPSG膜などに適用できます。
1) TEM専用機に比べて加速電圧が低いSEM装置によるSTEM観察
測定法：TEM・SEM
製品分野：LSI・メモリ・ディスプレイ・太陽電池・照明
分析目的：形状評価・膜厚評価
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基本情報TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察
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| 価格情報 | - |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | LSI・メモリ・ディスプレイ・太陽電池・照明の分析です |
カタログTEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察
取扱企業TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察
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