株式会社イオンテクノセンター アルミイオン注入深さ分析
- 最終更新日:2019-05-09 15:38:46.0
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検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分析結果の紹介
半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン
質量分析(SIMS)が適しています。
SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを
イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。
アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では
測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を
1E16n/cm3に下げることが出来ました。
【注入条件】
■エネルギー :180keV
■ドーズ量 :1E15n/cm2
(ドーズ量は当社の RBS によって得られた値を使用)
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基本情報アルミイオン注入深さ分析
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