株式会社イオンテクノセンター アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分析結果の紹介

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン
質量分析(SIMS)が適しています。

SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを
イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。

アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では
測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を
1E16n/cm3に下げることが出来ました。

【注入条件】
■エネルギー :180keV
■ドーズ量 :1E15n/cm2
(ドーズ量は当社の RBS によって得られた値を使用)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報アルミイオン注入深さ分析

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格情報 ******
お気軽にお問い合わせください
納期 お問い合わせください
※お気軽にお問い合わせください
用途/実績例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

カタログアルミイオン注入深さ分析

取扱企業アルミイオン注入深さ分析

screenshot.16.jpg

株式会社イオンテクノセンター

1.受託物理分析 2.イオン注入加工

アルミイオン注入深さ分析へのお問い合わせ

お問い合わせ内容をご記入ください。

至急度必須
ご要望必須

  • あと文字入力できます。

目的必須
添付資料
お問い合わせ内容

あと文字入力できます。

【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。

はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら

イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

株式会社イオンテクノセンター