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最終更新日:2019/05/09

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アルミイオン注入深さ分析

基本情報アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分析結果の紹介

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン
質量分析(SIMS)が適しています。

SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを
イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。

アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では
測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を
1E16n/cm3に下げることが出来ました。

【注入条件】
■エネルギー :180keV
■ドーズ量 :1E15n/cm2
(ドーズ量は当社の RBS によって得られた値を使用)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

アルミイオン注入深さ分析

アルミイオン注入深さ分析 製品画像

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン
質量分析(SIMS)が適しています。

SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを
イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。

アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では
測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を
1E16n/cm3に下げることが出来ました。

【注入条件】
■エネルギー :180keV
■ドーズ量 :1E15n/cm2
(ドーズ量は当社の RBS によって得られた値を使用)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 (詳細を見る

取扱会社 アルミイオン注入深さ分析

株式会社イオンテクノセンター

1.受託物理分析 2.イオン注入加工

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