組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化イオンテクノセンター

2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に
対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が
用いられます。

SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、
1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化
するので、組成比毎の相対感度因子を決定する必要があります。

もう一点は、Si と Ge の組成比が変化する事により分析点毎のスパッタリング
レートが変化するので、組成比とスパッタリングレートとの関係を求める
必要があります。
この2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析し、RSF と
スパッタリングレートが決定しました。

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関連リンク - http://www.iontc.co.jp/service/analysis.html#resul…

基本情報組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

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