テルモセラ・ジャパン株式会社 【nanoCVD】卓上型グラフェン/CNT合成装置

【nanoCVD】卓上型グラフェン/CNT合成装置 http://ls.ipros.jp/public/product/image/a38/2000133556/IPROS4282351082969234596.jpg ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ,30stepのプログラム作成可能 ・専用ソフトウエア標準装備,CSVファイルで出力PCでデータロギング ・USBケーブル接続,PC側でのレシピ作成→装置へアップロード可能 ・最大試料サイズ:40 x 40mm:銅(ニッケル)箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板,他 ◆Model. nanoCVD-8G(グラフェン用)◆ ・グラフェン生成用,真空プロセス制御 ・ロータリーポンプ標準付属(オプション:TMP, Diffusion or Dry Pump) ・ガス供給3系統(標準) ・試料加熱ステージMax1100℃ ・Kタイプ熱電対 ◆Model. nanoCVD-8N(CNT用)◆ ・CNT生成用,常圧プロセス制御 他同上 ※ H2, Ar, N2, Ethanol, CH4等の原料、及び原料供給設備は付属しません。 テルモセラ・ジャパン株式会社 細胞研究 > 細胞培養 > 培養機器 nanoCVD - 詳細当社までお問い合わせ下さい。
◉ 大型製造装置設備を使わず、簡単にグラフェン・CNT(SWNT)合成実験が可能 ◉ 1バッチわずか30分!

◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール
◉ 急速昇温:RT→1100℃/約3分間
◉ 高精度温度流量制御・再現性に優れたハイパフォーマンス機

基本情報【nanoCVD】卓上型グラフェン/CNT合成装置

◆特徴◆
・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理
・最大30レシピ,30stepのプログラム作成可能
・専用ソフトウエア標準装備,CSVファイルで出力PCでデータロギング
・USBケーブル接続,PC側でのレシピ作成→装置へアップロード可能
・最大試料サイズ:40 x 40mm:銅(ニッケル)箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板,他

◆Model. nanoCVD-8G(グラフェン用)◆
・グラフェン生成用,真空プロセス制御
・ロータリーポンプ標準付属(オプション:TMP, Diffusion or Dry Pump)
・ガス供給3系統(標準)
・試料加熱ステージMax1100℃
・Kタイプ熱電対

◆Model. nanoCVD-8N(CNT用)◆
・CNT生成用,常圧プロセス制御
他同上

※ H2, Ar, N2, Ethanol, CH4等の原料、及び原料供給設備は付属しません。

価格 -
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価格帯 お問い合わせください
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発売日 2013-03-01 00:00:00.0
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型番・ブランド名 nanoCVD
用途/実績例 ◆主な応用アプリケーション◆
・大学教育機関
・各研究機関での基礎・応用研究
・材料開発
・その他先端デバイス開発などに応用

ラインナップ

型番 概要
nanoCVD-8G Graphene用 真空プロセス制御 ロータリーポンプ標準付属
nanoCVD-8N SWNT用 常圧プロセス制御

詳細情報【nanoCVD】卓上型グラフェン/CNT合成装置

nanoCVD-8G sample stage
nanoCVD-8G試料加熱ステージ

nanoCVD HMI
nanoCVD 5inchタッチパネルスクリーン

ラマン解析データ
nanoVD-8G グラフェン ラマン解析データ

nanoCVD-8N 'CNT forest'
nanoCVD-8Nにて作成した「単層カーボンナノチューブの森(SWNT forests)」事例

カタログ【nanoCVD】卓上型グラフェン/CNT合成装置

取扱企業【nanoCVD】卓上型グラフェン/CNT合成装置

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テルモセラ・ジャパン株式会社

【営業品目】 1. CVD・PVD薄膜実験用超高温基板加熱ヒーター(1〜12inch) 2. R&D用真空薄膜実験装置 3. 超高温実験炉 4. 赤外線放射温度計 5. 真空用熱電対 6. 真空コンポーネント

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