次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。
株式会社新陽の主要製品である『GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)』
のご紹介です。
シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も
約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っております。
Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。
また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも
使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。
【特長】
■シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍広い
■絶縁破壊電圧も約10倍
■耐圧1600V
■青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生
■各種光デバイスにも使用される
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)
【ウェハー仕様（抜粋）】
■ディアメーター：Φ50.8±1mm
■厚さ：350±25μm
■オリエンテーション：C軸（0001）M軸に対するオフ角0.35±0.15°
■比抵抗（300K）
・N型未ドープ：<0.5Ω・cm
・N型Siドープ：<0.05Ω・cm
・Feドープ半絶縁性：1×10^6 Ω・cm
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| 価格情報 | - |
|---|---|
| 納期 |
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カタログGaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)
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