一般財団法人材料科学技術振興財団 MST OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）
- 最終更新日：2023-04-20 10:55:22.0
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OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。
・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。
・コンタクトの抵抗異常を特定可能。
・配線ショート箇所を特定可能。
・DC電流経路を可視化。
・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。
基本情報OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）
１.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。
２.レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。
３.ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出される。
| 価格情報 | - |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ・Siデバイス（トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ） ・SiCパワーデバイス（ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど） ・GaN発光素子・GaNデバイス（LD・LED・HEMTなど） ・MEMS（圧力センサ・加速度センサ） |
詳細情報OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）
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取扱企業OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）
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