ロックイン発熱解析法一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。
・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。
・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice ＆ Viewなど断面解析を行うことができます。

基本情報ロックイン発熱解析法

デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。

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用途／実績例	■症状・配線間リークやショート不良・静電破壊箇所の特定・発光素子の発熱面内分布測定・酸化膜のマイクロプラズマリーク・絶縁不良・発光素子の発熱面内分布測定 ■デバイス・Siデバイス（トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ）・SiCパワーデバイス（ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど）・GaN発光素子・GaNデバイス（LD・LED・HEMTなど）・MEMS（圧力センサ・加速度センサ）・IC、基板などの絶縁劣化部位の特定

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詳細情報ロックイン発熱解析法

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取扱企業ロックイン発熱解析法

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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