【分析事例】成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能

半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点からウエハ裏面に残留する金属を除去することが求められており、金属成分の残留量を定量的に把握することが重要です。
ベベル部から500umの範囲で裏面に残留する金属濃度分布を調査するため、TOF-SIMSを用いて評価を行いました。TOF-SIMSはベベル部近傍のみの金属成分を検出する空間分解能を有しており、濃度既知の標準試料を用いることで濃度を定量的に算出することが可能です。

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用途／実績例	パワーデバイス・光デバイス・LSI・メモリの分析です

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