【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されています。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリークの原因と言われております。
そこで、Si基板中へのAl,Gaの拡散の有無を評価するため、SIMS分析を行った事例をご紹介します。
微量の拡散を正確に評価するため、Si基板側からGaN層に向けて測定を行いました。

基本情報【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価

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用途／実績例	照明・パワーデバイス・光デバイスの分析です

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