【分析事例】半導体のイオン化ポテンシャル評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

UPS：紫外光電子分光法

半導体では、価電子帯立ち上がり位置(VBM)と高束縛エネルギー側の立上り位置(Ek(min))より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。
表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。
■価電子帯立ち上がり位置(VBM)の決定
価電子帯頂点近傍のスペクトルを直線で外挿し、バックグラウンドとの交点を求めます。
■イオン化ポテンシャルの算出
イオン化ポテンシャル（I.P.）＝ hν-W
hν：照射紫外線のエネルギー(He I線21.22eV)
W：スペクトルのエネルギー幅（Ek(min) - VBM）

基本情報【分析事例】半導体のイオン化ポテンシャル評価

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