株式会社イオンテクノセンター化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定事例集

最終更新日：2019-03-18 11:47:01.0
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化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの
サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの
深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。

Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、
Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した
化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解を求めた結果を
掲載しています。

【掲載概要】
■深さ分解能測定の結果

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - http://iontc.co.jp/project/physical_analysis/#page…

基本情報化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定事例集

【掲載内容】
■SIMS(二次イオン質量分析法)の概要
■サンプル試料について
■分析結果

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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