【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

極浅い領域でも高感度に分析

酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の表面近傍について、金属元素の定量分析を行った事例を示します。
TOF-SIMSでは極浅い領域でも高感度に評価が可能です。

基本情報【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価

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用途／実績例	酸化物半導体・パワーデバイスの分析です

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