一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析
- 最終更新日:2017-09-21 13:08:22.0
- 印刷用ページ
断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。
IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥(ライフタイムキラー)を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。
基本情報【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析
詳しいデータはカタログをご覧ください
価格情報 | - |
---|---|
納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | パワーデバイス・LSI・メモリ・電子部品の分析です |
カタログ【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析
取扱企業【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析
-
受託分析サービスで、研究開発を行う皆様をサポートします! 半導体・金属・電池などのエレクトロニクス材料や、医薬品・化粧品・食品・環境などのライフサイエンス分野に幅広く対応。 SIMS・TEM・XRD・ICP-MS・GC/MS・AES・SEM・EPMA・EELSなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 まずはご相談下さい。 ◆事業領域◆ 1. 科学技術分野における材料に関する基礎的研究及び解析・評価。 2. 半導体、生理学生化学、バイオ関連分野及び各種先端的分野についての基礎的研究及び解析・評価。 3. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の研究機関又は個人に対する表彰及び支援。 4. 1、2号に掲げる研究成果等の出版または出版の支援。 5. 1、2号に掲げる国内外における関連分野の調査。 6. 1、2号に掲げる国内外における関連分野に関する研修の実施及び支援または研修所の運営。 7. その他目的を達成するために必要な事業。
【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。