一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 【分析事例】界面および深さ方向分解能について

SIMS:二次イオン質量分析法

異種材料間の界面のSIMS分析プロファイルは、深さ方向にある幅をもって変化します。これはSIMS分析の特性上、イオンビームミキシングとスパッタ表面の凹凸(ラフネス)の影響を受けるためです。検出している不純
物は、混ぜ合わされた深さまでの平均化した情報となり、深さ方向に幅を持った領域のイオンを検出します。
そのため、界面位置は一般に主成分元素のイオン強度が50%になる位置と定義しています。

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用途/実績例 太陽電池・ディスプレイ・酸化物半導体・パワーデバイス・LSI・メモリの分析です

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