【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事例をご紹介します。

基本情報【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報	-
納期	お問い合わせください
用途／実績例	パワーデバイスの分析です

カタログ【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

PDFダウンロード電子ブックをすべて見る

取扱企業【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

受託分析サービスで、研究開発を行う皆様をサポートします！半導体・金属・電池などのエレクトロニクス材料や、医薬品・化粧品・食品・環境などのライフサイエンス分野に幅広く対応。 SIMS・TEM・XRD・ICP-MS・GC/MS・AES・SEM・EPMA・EELSなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。まずはご相談下さい。 ◆事業領域◆ 1. 科学技術分野における材料に関する基礎的研究及び解析・評価。 2. 半導体、生理学生化学、バイオ関連分野及び各種先端的分野についての基礎的研究及び解析・評価。 3. １、２号に掲げる国内外における関連分野の研究機関又は個人に対する表彰及び支援。 4. １、２号に掲げる研究成果等の出版または出版の支援。 5. １、２号に掲げる国内外における関連分野の調査。 6. １、２号に掲げる国内外における関連分野に関する研修の実施及び支援または研修所の運営。 7. その他目的を達成するために必要な事業。