一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析 http://ls.ipros.jp/public/product/image/f9d/2000432944/IPROS14229396913645536742.jpg 詳しいデータはカタログをご覧ください 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 受託製造・分析試験・コンサル > 受託 分析・評価 > その他 分析・評価受託 -
SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM(走査型静電容量顕微鏡)の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事例をご紹介します。

基本情報【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

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用途/実績例 パワーデバイスの分析です

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