SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。
X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。

基本情報SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

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用途／実績例	測定法：X線CT法製品分野：パワーデバイス分析目的：形状評価・製品調査・劣化調査・信頼性評価・構造評価

カタログSiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

【分析事例】X線CT観察によるSiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージの評価

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取扱企業SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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