当資料では、III-V族化合物半導体で電子・光学デバイスのバンド構造
エンジニアリングに必要となる、固体エネルギーバンド構造の詳細を
計算するため、Hartree-Fock-DFTハイブリッド汎関数であるHSE06を用いた
事例について報告します。
InAsのエネルギーバンド、特にその微細構造を例として、精度の高い
第一原理電子状態計算を用いることで、実験に匹敵する精度と信頼性を持つ
材料特性のデータが得られることを示しました。
【掲載内容】
■結晶構造
■バンド構造計算
■まとめ
■参考文献
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基本情報【技術情報】ハイブリッド汎関数による高精度なバンド構造評価
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カタログ【技術情報】ハイブリッド汎関数による高精度なバンド構造評価
取扱企業【技術情報】ハイブリッド汎関数による高精度なバンド構造評価
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