一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較

着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です

走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)及び走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope:SIM)は、どちらも二次電子像を得ることで試料表面近傍の構造評価を行う手法です。一次プローブの違いによってコントラストの現れ方や空間分解能などの違いがあり、着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です。本資料では2手法の比較をまとめるとともに、測定例としてCu表面を観察した事例をご紹介します。

基本情報【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較

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用途/実績例 LSI・メモリの分析です

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