日本エクシード株式会社 【加工素材】化合物半導体ウェーハ
- 最終更新日：2019-10-01 15:55:09.0
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SiC・GaN・GaPなど！さまざまな化合物半導体結晶の研磨加工が可能
日本エクシードでは、SiC、GaN、GaPなど、様々な化合物半導体結晶の
研磨加工を行っております。
パターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げることが
可能となり、お客様への納品方法を含め対応できます。
当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。
【特長】
■様々な化合物半導体結晶の研磨加工が可能
■お客様への納品方法を含め対応できる
■厚み：20μm～
■表面粗さの実力値 GaP表面粗さ：0.1nm
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報【加工素材】化合物半導体ウェーハ
【化合物半導体ウェーハ(抜粋)】
■SiC
■GaN
■GaP
■GaAs
■パターン付きウェーハの裏面加工
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| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログ【加工素材】化合物半導体ウェーハ
取扱企業【加工素材】化合物半導体ウェーハ
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■半導体材料、酸化物材料、化合物材料、金属材料の精密研磨加工及び洗浄
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