【加工素材】化合物半導体ウェーハ

SiC・GaN・GaPなど！さまざまな化合物半導体結晶の研磨加工が可能

日本エクシードでは、SiC、GaN、GaPなど、様々な化合物半導体結晶の
研磨加工を行っております。

パターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げることが
可能となり、お客様への納品方法を含め対応できます。

当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。

【特長】
■様々な化合物半導体結晶の研磨加工が可能
■お客様への納品方法を含め対応できる
■厚み：20μm～
■表面粗さの実力値 GaP表面粗さ：0.1nm

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。