株式会社イオンテクノセンター成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した装置ラインナップ！

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。

成膜
・PBII（Plasma Based Ion Implantation)
　カーボン成膜が可能
・スパッタ
　電極膜の成膜が可能

熱処理
・RTA（Rapid thermal annealing）
　縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度までの熱処理が可能
・酸化炉
　酸化、熱処理

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納期	お問い合わせください ※※ お気軽にお問い合わせください
用途／実績例	半導体への成膜・熱処理では国内企業様、大学様に多くご利用頂いております。