成膜・熱処理装置ラインナップ

基本情報成膜・熱処理装置ラインナップ

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで。アニール前後処理を弊社で行うことができます。

成膜
・PBII（Plasma Based Ion Implantation)
　カーボン成膜が可能
・スパッタ
　電極膜の成膜が可能

熱処理
・RTA（Rapid thermal annealing）
　縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度までの熱処理が可能
・酸化炉
　酸化、熱処理

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。（詳細を見る）

1.受託物理分析 2.イオン注入加工

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株式会社イオンテクノセンター