京浜ラムテック株式会社 RAM インライン型スパッタリング成膜装置
- 最終更新日:2024-07-02 13:26:06.0
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パイロットラインから量産ラインへが展開が可能な装置です。
RAMカソード(4面対向式低ダメージスパッタリングカソード)
及び強磁場プレーナーカソードを搭載したデポジションアップ式水平インライン型スパッタ装置です。
下地層にダメージを与えないよう、初期層はRAMカソードで低ダメージスパッタ成膜を行います。
その後、強磁場カソードで高速成膜を行います。
ロードロックストッカー及びアンロードロックストッカーに各15トレイずつ真空保管されます。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報RAM インライン型スパッタリング成膜装置
Max. Sub. Size : 200mm x 300mm x t0.2mm
Number of substrate per tray:2
Tray size:350mm×1000mm×20tmm
Effective deposition width:620mm
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価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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