【SiC・GaN対応】パワーデバイステスター（半導体テスター）日本技術センター

SiC、GaNなど新素材に対応すべく、高耐圧、高速スイッチング用途の計測、治具開発を行います。

パワーデバイステスター『N50シリーズ』『N54シリーズ』は、
ディスクリート半導体や小規模なロジックデバイスに特化した製品です。

ニーズに応じてSiC、GaNデバイスにも対応できる計測や治具開発も行います。

【ラインアップ】
＜『N50シリーズ』（200V耐圧仕様）＞
　■FPGAの搭載でテスター内部をフルロジックで同期でき、高速測定を実現
　■コンパクトなサイズでハンドラー内への組み込みが簡単
　■測定項目：静特性、熱抵抗、L負荷

＜『N54シリーズ』（2000V耐圧仕様）＞
　■高耐圧＆低インピーダンス
　■di/dt＝20kA/μSを実現
　■測定項目：静特性、熱抵抗、短絡耐量、スイッチング特性、RBSOA/RRSOA

※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

基本情報【SiC・GaN対応】パワーデバイステスター（半導体テスター）

当社では、開発評価用途等のカスタムニーズにも対応いたします。
・di/dt耐量：MOSFETのボディーダイオードの逆回復動作の破壊試験
・dv/dt耐量：MOSFETに寄生するNPNトランジスタが2次降伏を起こさないかの試験
・サージ耐量（ダイオード）：非繰り返しピーク順電流“IFSM”
・ゲート電荷量：ゲート入力電荷量“QG”
・エージング試験
・耐圧試験（高電圧リレー回路製作）

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