2反応室、2カセット対応の生産装置！ナノからマイクロレベルのSi深掘りが可能
『RIE-800BCT』は、放電形式に誘導結合プラズマを採用した
生産用シリコン深掘り装置です。
高速なエッチングレートとレジストとの選択比を保ちながら、50以上の
高アスペクト比加工や低スカロップ加工が可能。
また、ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したまま
スカロップの低減ができます。
【特長】
■ナノからマイクロレベルのSi深掘りが可能
■最大Φ8”ウエハ対応
■50以上の高アスペクト比加工
■低スカロップ加工
■豊富なプロセスライブラリ
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報Si深掘り装置『RIE-800BCT』
【その他特長】
■独自のプラズマ発生源と反応器構造を有し、垂直なエッチング形状を維持した状態で、高アスペクト比加工ができる
■ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したままスカロップの低減が可能
■蓄積してきたプロセスライブラリにより様々な形状、材料の加工が可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【応用例】 ■MEMS(加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、アクチュエータなど)の製作 ■インクジェットプリンタヘッドの加工 ■シリコン貫通ビア(TSV)の形成 ■パワーデバイス(スーパージャンクションMOSFET)の製作 ■プラズマダイシング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。 |
取扱企業Si深掘り装置『RIE-800BCT』
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