インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 OptiMOS パワーMOSFET 25V~100V
- 最終更新日:2024-04-03 11:41:57.0
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ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止!高い電力密度と性能を保有
インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した
製品ラインアップが拡張されました。
PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、
25Vから100Vまでとなります。
ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、
デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。
【特長】
■高い電力密度と性能
■優れた熱性能
■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用
■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化
■低いPCB損失
■PCB寄生容量の低減
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報OptiMOS パワーMOSFET 25V~100V
【その他の特長】
■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供
■最適化された新しいレイアウトの可能性
■3x3パッケージで最高クラスの RDS(on)を実現
■柔軟なレイアウトソリューションにより、熱管理を改善し、パッケージサイズを低減
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | 【対象アプリケーション】 ■ドライブ ■テレコム ■SMPS ■サーバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログOptiMOS パワーMOSFET 25V~100V
取扱企業OptiMOS パワーMOSFET 25V~100V
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