OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した
製品ラインアップが拡張されました。

PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、
25Vから100Vまでとなります。

ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、
デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。

【特長】
■高い電力密度と性能
■優れた熱性能
■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用
■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化
■低いPCB損失
■PCB寄生容量の低減

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