株式会社東レリサーチセンター 技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価

基本情報技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価

技術情報誌The TRC News「XAFSによる半導体中の微量ドーパントの状態評価」
【要旨】
半導体へのドーパント添加は、電気特性を制御する上で非常に重要な技術であり、添加によるキャリア発生のメカニズムは固体物理の理論に基づいて理解されているが、ドーパント元素における直接的な化学状態や配位環境の評価事例は少ない。元素ごとの状態評価は、XAFSにより可能であるが、近年の検出器の感度向上などにより、微量のドーパント元素の化学状態や配位環境を感度よく観測できるようになってきた。本稿では、XAFS を用いたシリコン半導体に含まれるヒ素およびリンの状態評価の事例を紹介する。
【目次】
１．はじめに
２．分析試料および実験手法
３．シリコン中のヒ素のXAFS評価
４．シリコン中のリンのXAFS評価
５．おわりに
【図表】
図１　As K端XANESスペクトル
図２　As K端FT-EXAFSスペクトル
表１　As K端FT-EXAFSカーブフィッティング結果
図３　アニールありおよびアニールなしにおけるヒ素の状態および周囲構造のイメージ
図４　P K端XANESスペクト

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