株式会社東北テクノアーチ 東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141

基板ダメージが少ない/イオン量とエネルギーを独立制御/磁性体ターゲットに使用可能

デバイスの微細化の進展または薄膜結晶の高品質化の要求が高まるにつれて、スパッタリングにおいて基板へのイオンダメージが大きな問題となっている。従来広く利用されているマグネトロンスパッタ法では、ターゲット材と基板の間に直接プラズマを形成するため、「1 イオンダメージの回避が困難」であり、高密度プラズマ生成時にはこの問題が顕著化してしまう。またプラズマ生成のための放電とイオン引き込みを同一の電源で同時に行うため、「2 ターゲット材へ流入するイオン量とそのエネルギーを独立に制御することが不可能」であること。ターゲット表面に存在する漏れ磁束でプラズマ閉じ込めを行うため、「3 磁性体ターゲットにおいては使用が困難である」ことなどの課題も存在する。
本発明は、ヘリコン放電による高密度プラズマ生成や、湾曲磁場によるプラズマ形状制御等により、上記1~3の課題を解決するものであり、それと同時にターゲット材の昇温機構を兼ねることや、大口径基板への均一成膜、高速成膜も検討し得る。

基本情報東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141

詳細は、お問合せ又はPDFをご覧ください。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 詳細は、お問合せ又はPDFをご覧ください。

カタログ東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141

取扱企業東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141

TTA_img.jpg

株式会社東北テクノアーチ

○東北大学等の技術移転業務

東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141へのお問い合わせ

お問い合わせ内容をご記入ください。

至急度必須
ご要望必須

  • あと文字入力できます。

目的必須
添付資料
お問い合わせ内容

あと文字入力できます。

【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。

はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら

イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

株式会社東北テクノアーチ

東北大学技術:高密度プラズマスパッタリング装置:T16-141 が登録されているカテゴリ