【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。
本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。
分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。
測定法：SIMS・TEM・SCM・SMM
製品分野：パワーデバイス
分析目的：微量濃度測定・形状評価・膜厚評価・構造評価・製品調査

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基本情報【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

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用途／実績例	パワーデバイスの分析です。

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取扱企業【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

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