優れた量子ドットレーザを実現する高密度量子ドットの結晶成長条件を見出し、実用化に成功
当社の量子ドットは、
分子線エピタキシー（MBE：Molecular Beam Epitaxy）法を用いて作製しています。
MBE法とは超高真空に保たれた成長室において、
るつぼから材料となる元素を蒸発させることで、
基板上に結晶を成長させる手法です。
長年にわたる研究開発の積み重ねのなかで結晶成長物理への理解を深めることで、
結晶成長レートや基板温度等の様々な成長条件の組み合わせから、
優れた量子ドットレーザを実現する高密度量子ドットの結晶成長条件を見出し、
実用化に成功しました。
【特長】
■高温環境での安定動作と高い信頼性
■優れた戻り光耐性
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| 用途／実績例 | 【アプリケーション例】 ■光インターコネクト ■LiDAR ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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