【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。
測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS
製品分野：パワーデバイス
分析目的：故障解析・不良解析・製品調査

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基本情報【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

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用途／実績例	パワーデバイスの分析です。

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取扱企業【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

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