EMS分析（エミッション顕微鏡法）一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

故障箇所を迅速に特定

EMSは、半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。EMMS、PEM、EMIとも呼ばれます。

・測定波長領域（可視域から近赤外域）に対して透明な材料のみ評価可能
・クラック・結晶欠陥・ESDによる酸化膜破壊・Alスパイクによるショートなどの内部の欠陥を低損傷で捉えることが可能

基本情報EMS分析（エミッション顕微鏡法）

発光源としては、空間電荷領域でのキャリアの電界加速、電流集中、Ｆ-Ｎトンネル電流など電界加速キャリア散乱緩和発光によるもの、pn接合順方向バイアス、ラッチアップなどバンド間キャリア再結合発光によるもの、配線間ショート、配線の細りによる抵抗増大による熱放射などがあります。

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用途／実績例	■異常箇所（リーク箇所）の特定・Siパワーデバイス（トランジスタ・MOSFET・IGBT・サイリスタなど）・SiCパワーデバイス（ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど）・GaN発光素子・GaNデバイス（LD・LED・HEMTなど）・有機EL素子・MEMS（圧力センサ・加速度センサなど）

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詳細情報EMS分析（エミッション顕微鏡法）

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取扱企業EMS分析（エミッション顕微鏡法）

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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