一般財団法人材料科学技術振興財団 MST [SAXS]X線小角散乱法
- 最終更新日:2016-02-18 12:53:18.0
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SAXSは、X線を物質に照射して散乱したX線のうち、2θ<10°以下の低角領域に現れるものを測定し、物質の構造を評価する分析手法です。通常、数nm~数十nm程度の大きさの構造を評価できます。
・ナノスケールでの周期構造・配向性の評価が可能
・微粒子や材料中の空孔分布を評価することが可能
・タンパク質など生体材料の評価が可能
・サンプルを加熱して評価することが可能
基本情報[SAXS]X線小角散乱法
■周期構造による散乱
周期構造による散乱では、(1)のようなプロファイルが得られます。構造単位の周期性がピークとして現れます。低角領域の散乱X線を見ることで、数nm~数十nm程度の分子レベルの周期構造まで測定することができます。
■粒子内部における散乱
粒子内部における散乱では、(2)のようなプロファイルが得られます。プロファイルの傾きは粒子(空孔)の大きさを反映しており、形状は粒子の形状や粒径分布を反映します。
広角に散乱されたX線⇒Åオーダーの結晶の面間隔・歪み・配向性を評価
低角に散乱されたX線⇒ナノオーダーの分子の周期性・配向性を評価
価格情報 | - |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ・高分子材料の結晶性・配向性評価 ・液晶試料の高次構造・ミクロ相分離構造解析 ・ポリスチレンナノ粒子の粒径解析 ・高分子のドメインサイズ評価 |
詳細情報[SAXS]X線小角散乱法
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取扱企業[SAXS]X線小角散乱法
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