電磁材料や半導体分野など様々な分野で採用！銀ナノ粒子

高水準の導電性、低温シンタリング特性を実現した銀紛です。 ラインナッ…

半導体、回路基板の設計者のみなさん！製品の導電性を上げたい、シンタリング温度を低くしたいとお考えではありませんか？今後ますます高性能化が要求される半導体、回路基板において脅威の性能を発揮する銀ナノ粒子があります。トクセン工業がお届けする”TOSFINE”です。 ”TOSFINE”は当社独自の粒子製造技術により個々の粒子がフレーク状に加工され、フレークのハンドリング性とナノ粒子の特性を併せ持つ...

メーカー・取り扱い企業： トクセン工業株式会社 本社

銀ナノ粒子『KM120』

粒子サイズは0.15～0.3μm！世界最高レベルの低温焼結性を実現した…

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『KM120』についてご紹介いたします。 粒子形状は多面体で、比表面積は1.5～2.5m2/g、タップ密度は3.0～4.5g/cm3。 世界最高レベルの低温焼結性を実現しました。 ま...

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トクセン工業株式会社　製品情報

自動車のみならず、家電をはじめOA機器、紡績関連などの分野でも貢献！

ます。 【取扱製品(抜粋)】 ■タイヤ ・スチールコード/ビードワイヤ/ホースワイヤ ■家電・OA機器用 ・透明導電シート/ばね用異形線/ドットピン ■太陽電池・半導体用 ・金属ナノ粒子/ソーワイヤ/プローブガードピン/極細ばね用線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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銀ナノ粒子

世界最高水準の導電性、低温シンタリング特性を実現した銀紛

半導体、回路基板の設計者のみなさん！製品の導電性を上げたい、シンタリング温度を低くしたいとお考えではありませんか？今後ますます高性能化が要求される半導体、回路基板において脅威の性能を発揮する銀ナノ粒子があります。トクセン工業がお届けする”TOSFINE”です。 ”TOSFINE”は当社独自の粒子製造技術により個々の粒子がフレーク状に加工され、フレークのハンドリング性とナノ粒子の特性を併せ持つ...

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銀ナノ粒子『M27』

ヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸による表…

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M27』についてご紹介いたします。 粒子形状はフレーク形状、粒子サイズは2.0～7.0μmで、厚みは60～100nm。 比表面積は0.5～1.5m2/g、タップ密度は1.5～3.0g/c...

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銀ナノ粒子『LS0305』

TG（N2）は0.1～0.35％！複数の溶媒分散を対応可能とした低温焼…

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『LS0305』についてご紹介いたします。 粒子形状は多面体、粒子サイズは0.15～0.4μm、比表面積は1.2～2.2m2/g。 複数の溶媒分散を対応可能としました。 出荷形態は溶...

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銀ナノ粒子『M13』

粒子形状はフレーク形状！タップ密度は1.5～3.0g/cm3、比表面積…

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M13』についてご紹介いたします。 出荷形態は紛体。分散可能溶媒は水をはじめ、EtOH、DPM、C、EG、CA、TP、 BC、TPM、BCAです。 特性として、粒子サイズは1.0～...

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銀ナノ粒子『LM1』

粒子形状はフレーク形状＋多面体、比表面積は0.5～1.5ｍ2/g！接着…

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『LM1』についてご紹介いたします。 表面処理はヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸 による表面コート。 粒子サイズは0.7～1.3μm、厚みは≦100nm...

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銀ナノ粒子『N300』

電気比抵抗は4.4μΩ・cm（シンタリング後）！TG（N2）は0.70…

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『N300』についてご紹介いたします。 タップ密度は1.5～3.0g/cm3で、比表面積は1.9～2.9m2/g、厚みは≦50nm。 出荷形態は紛体です。 また、粒子形状はフレーク形...

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銀ナノ粒子『M612』

分散可能溶媒は水をはじめ、EtOH、DPM、C、EG、CA、TP、BC…

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M612』についてご紹介いたします。 粒子形状はフレーク形状、粒子サイズは6.0～12.0μmとなっており、 厚みは60～100nm。 表面処理はヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン...

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