• 高周波溶着機 電動シリンダー仕様「PLASEST-05E」 製品画像

    高周波溶着機 電動シリンダー仕様「PLASEST-05E」

    PR電動シリンダー搭載で「品質向上・数値管理」 簡単操作で高い生産性を実現…

    「PLASEST-05E型」の稼働に必要なものは200V電源のみで、コンプレッサは不要です。 また、溶着後の厚み・加圧力と高周波条件を数値による設定管理を行う事で出来きます。 加工品の品質向上・安定した製品を生産できる高周波溶着機です。 タッチパネルに条件を保存することにより再現性の高い加工が可能。 電動シリンダーを採用により、下降速度、プレス間隔、加圧力、仕上げ厚みを制御可能。 特...

    メーカー・取り扱い企業: 山本ビニター株式会社

  • 【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価 製品画像

    【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    イスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査 型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価 製品画像

    【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxia...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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