電源装置『高電圧半導体スイッチ』

スイッチング素子としてSiC-MOSFETを採用し、電力損失を大幅低減

数は直流から5kHzまでのパルス運転が可能です。 また、低オン抵抗や高速スイッチング等の利点があり、 90kVのスイッチユニットを給電・放電用の2台内臓しております。 スイッチユニット基板の設計・開発、製作・調整や 冷却システムの製作など、設計・開発から製品化まで行っています。 【アプリケーション】 ■核融合装置のジャイロトロン用パルス電源 ■EUVレーザーのパルス電源 ...

メーカー・取り扱い企業： 東京電子株式会社