PET/PETG培地ボトル -Nalgeneの利点と比較-

PR多くのお客様にご利用いただいている高品質Nalgene培地ボトル。耐衝…

高品質で多くのお客様にご利用いただいているNalgene培地ボトルが、どのような点でメリットがあるか、という試験データをこの度アプリケーションノートとして公開いたしました。 ◆ -40℃で凍結させた後に実験机から落下させた場合の影響 ◆ 内圧をかけた際の液漏れテスト ◆ 凍結融解を行った際にどの程度、一度締めたキャップが緩むか（バックオフトルク） ◆ 培地に影響する二酸化炭素のボトル内部への入り...

メーカー・取り扱い企業： サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社／Thermo Fisher Scientific K.K.

中分子（オリゴ核酸・ペプチド）原薬の受託開発製造（CDMO）事業

PR充実の設備と高い技術力で開発段階に応じた好適なCDMOサービスを提供！

≪日本触媒は中分子（オリゴ核酸・ペプチド）原薬の供給を通じ、人々の健康と医療を支え、社会の未来に貢献します≫ 当社は中分子（オリゴ核酸・ペプチド）原薬を製造し、 お客様のご要望に基づいた品質の製品を確実にかつ迅速にご提供いたします。 ◆「3つの要素」で、充実の原薬受託開発製造（CDMO）サービスをご提供◆ 　１．合成技術・設備　（日米欧三極GMP，PIC/S GMP準拠プラント保有　※GMP出荷...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社日本触媒

【分析事例】Si表面のH終端の解析

処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較

Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF,SiH,Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査

イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた11B,Asのイオンイメージを示します。11BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。 また、通常の分析では検出領域全体の各元素の平均濃度が算出されてしまいますが、イメージングSIMS測定においては...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV, P+ 1keV, As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV～300eVを用いて測定した例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】MEMS中ドーパントの三次元分布評価

イメージングSIMSにより微小領域・微量元素の濃度分布を可視化できます

市販品MEMSについて、BとAsの三次元イメージングSIMS測定を行いました（測定領域：75μｍ角、深さ：約1.5μm）。測定後のデータ処理により、任意断面・任意深さの面分布、任意領域の深さ方向分布、任意箇所のラインプロファイルの...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H,C,O,Fなど）の分布についても評価可能です。評価し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST