【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能

SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H,C,O,Fなど）の分布についても評価可能です。評価したい元素などお問い合わせください。

基本情報【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

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