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Simulation for ion species, depth a…
Customer's request "How much energy and dose should be used to achieve the desired depth and concentration?" And "What depth distribution of dopant ions will be given at the specified energy and dose....
メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター
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SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…
SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター
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