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Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料では、市販のGaN HEMTデバ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XRD・XAFSによる複合解析で、より詳細な評価が可能
high-k材料や強誘電体として注目されているHfZrOx膜は、結晶構造によって誘電率等の物理的性質が大きく変化することから、結晶構造の同定・各結晶構造の含有割合の算出が重要な評価項目です。 通常XRDやXAFSによって評価可能ですが、一方の手法だけでは詳細な解析が困難な場合でも、これら2つの手法を組み合わせることでより詳細な情報が得られます。今回、XRDとXAFSの複合解析によって、HfZrO...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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HAADF-STEM:高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法
■原理 HAADF-STEM( High-angle Annular Dark Field Scanning TEM)像は細く絞った電子線を試料に走査させながら当て、透過電子のうち高角に散乱したものを環状の検出器で検出することにより得ら...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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InGaZnO4粒子の超高分解能STEM観察
-STEM像は多元系結晶構造を直接理解できる有効なツールです。今回、酸化物半導体中微粒子の評価を行いましたので紹介します。異種材料界面・化合物界面の原子配列、粒界偏析評価などに応用できます。 ※High-Angle Annular Dark-Field: 原子量(Z)に比例したコントラストが得られます。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価
製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層(2DEG)が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器など...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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