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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査 型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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