【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

像シミュレーションを併用した結晶形の評価

高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

く変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

多層膜スパッタリング装置『S600』

ヒーターステージ(1000℃)搭載！開発工程～量産工程まで様々な用途へ…

装着可能 ■3～6インチ基板処理に対応(多品種混流生産にも対応) ■偏芯回転磁石による大口径ワイドエロージョンで、高精度な膜厚均一性と 　ターゲットの長寿命化を実現 ■磁場設計は当社がシミュレーションにて設計し、お客様のご要望に最大限対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ...

メーカー・取り扱い企業： パナソニック プロダクションエンジニアリング株式会社

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料】しるとくレポNo.62＃回路図の理想と現実（1）

当社ではCAD図面や構造図から3D化し寄生成分を抽出するシミュレーショ…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ 当レポートでは、回路図の理想と現実についてご紹介します。 回路図上にはコンデンサ、インダクタ、トランジスタ、ダイオード、抵抗 などの電子部品が記載され、それぞれ、理想的な素子として扱われています。 しかし、現実の回路にはそれらの素子だけではなく、容量成分、誘導成分、 抵抗成分などの寄生成分が存在し、様々な悪影響をもたらし、 設計者...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料】しるとくレポNo.65＃パワー半導体（2）

回路インダクタンスの大きさを定量的に確認する方法についてお話しします

パワー半導体のスイッチング評価を行う測定環境を改善するために配線を 見直すことがありますが、実は測定系の回路インダクタンスの大きさが 定量的にわからないと改善は難しいのです。 シミュレーションを行う際に、実測した回路インダクタンス値を使用する ことで実測波形に近い結果が得られます。 【掲載内容】 ■回路インダクタンスの改善方法 ■IGBTモジュール　測定回路例 ■回路...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology