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    【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

    SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

    SiCパワーMOS FET(図1)において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました(図2)。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、A...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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