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ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。
イオン注入シミュレーション ・シングルプロファイル 深さ、濃度から注入条件を計算 ・ボックスプロファイル 多段注入条件の計算 その他のシミュレーション ・熱処理後の拡散 熱処理前後でのプロファイル計算 ・多層構造の計算 SiO2等の膜厚最適化 ただし、シミュレ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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